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1.
Doklady Mathematics - New properties of convex infinitely differentiable functions related to extremal problems are established. It is shown that, in a neighborhood of the solution, even if the...  相似文献   
2.
Crystallography Reports - The formation of β-Si3N4 for subsequent growth of AlGaN and GaN heterostructures of silicon wafers has been studied. It is established that the native oxide layer...  相似文献   
3.
Technical Physics - In the case of a severe accident at a nuclear power plant with light-water reactors, the most effective method for localization of the formed melt (corium) is its retention in...  相似文献   
4.
Evropeitsev  E. A.  Serov  Yu. M.  Nechaev  D. V.  Jmerik  V. N.  Shubina  T. V.  Toropov  A. A. 《JETP Letters》2021,113(8):504-509
JETP Letters - The decay kinetics of low-temperature exciton photoluminescence in a heterostructure with multiple GaN/AlN monolayer quantum wells, which is prepared by molecular beam epitaxy, is...  相似文献   
5.
Technical Physics - Taking damping into account in the problems of structural dynamics is an important and nontrivial problem. Its complexity is primarily determined by the required specification...  相似文献   
6.
Physics of Atomic Nuclei - In the FRAGM experiment at the heavy-ion accelerator $$-$$ accumulator complex ITEP $$-$$ TWA, yields of cumulative charged $$\pi$$ mesons have been measured in a...  相似文献   
7.
Doklady Physics - The dependence of Raman spectra of the molecules containing polyene chains on the conjugation length, structure of side and end groups, and isomer type is analyzed theoretically.  相似文献   
8.
Russian Physics Journal - The paper presents mathematical simulation of localized plastic deformation of metal-intermetallic laminated composites after equal channel angular pressing. Deformation...  相似文献   
9.
JETP Letters - Photonically controlled metastructures containing resonant conducting dipole and chiral elements with CdS and CdSe in gaps have been proposed, implemented, and studied in a waveguide...  相似文献   
10.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。  相似文献   
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